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為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。

安森美半導(dǎo)體

2117

2024/12/24

數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體
交付超千萬顆！5家SiC企業(yè)透露業(yè)務(wù)進展
近期，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)外又有5家SiC相關(guān)企業(yè)透露合作及交付進展。9月27日，瞻芯電子在官微透露，自2020年正式發(fā)布第一代SiC MOSFET產(chǎn)品以來，他們已累計交付SiC MOSFET產(chǎn)品

行家說三代半

1127

2024/09/29

SiC SiC-MOSFET
2個晶圓廠新進度：正式投片；車規(guī)SiC MOS亮相
近日，國內(nèi)2家碳化硅IDM廠商實現(xiàn)了晶圓廠和車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他們于當(dāng)日順利完成晶圓廠首批投片，標(biāo)志著昕感晶圓廠正式進入全面營運階段。

行家說三代半

1848

2024/09/24

晶圓廠 SiC-MOSFET
推動8吋SiC量產(chǎn)，國內(nèi)企業(yè)又解決一大難題
業(yè)界普遍認(rèn)為，SiC MOSFET大規(guī)模替代的硅基IGBT的臨界點是價差縮小至2.5倍以下，而實現(xiàn)這一預(yù)期的關(guān)鍵在于降低SiC襯底成本，而高質(zhì)量、大直徑的8英寸SiC襯底片是降低SiC MOSFET器件成本的有效途徑。

行家說三代半

2933

2024/02/07

SiC 碳化硅
5款SiC新品亮相，真的有點猛！
在過去一年里，SiC產(chǎn)品迎來大爆發(fā)；2024開年以來，包括Qorvo、三菱電機、至信微等企業(yè)也紛紛推出碳化硅新品，積極打進汽車和飛機供應(yīng)鏈，牽頭再譜新年新篇章。

行家說三代半

2026

2024/01/26

SiC 碳化硅

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