• FPGA的設(shè)計優(yōu)化與DDR3的使用

  fpga學(xué)徒一枚，會持續(xù)分享FPGA學(xué)習(xí)周報，也歡迎各位小伙伴指正。1.面積優(yōu)化：就是在實現(xiàn)預(yù)定功能的情況下，使用更小的面積。通過優(yōu)化，可以使設(shè)計能夠運行在資源較少的平臺上，節(jié)約成本，也可以為其他設(shè)計提供面積資源。

  森森Techdaily

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  2024/12/26

  FPGA ddr3

  
• PCIE工程bd上ddr3和xdma ip核通過axi connect.互聯(lián)，數(shù)據(jù)怎么交互？

  今天給大俠帶來在FPAG技術(shù)交流群里平時討論的問題答疑合集（二十八），以后還會多推出本系列，話不多說，上貨。Q：有個pcie工程，bd上有ddr3和xdma ip核。通過axi connect.互聯(lián)。數(shù)據(jù)怎么交互？

  FPGA技術(shù)江湖

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  2024/10/26

  PCIE 數(shù)字信號

  
• Xilinx FPGA DDR3設(shè)計（三）DDR3 IP核詳解及讀寫測試

  本文我們介紹下Xilinx DDR3 IP核的重要架構(gòu)、IP核信號管腳定義、讀寫操作時序、IP核詳細(xì)配置以及簡單的讀寫測試。

  FPGA技術(shù)實戰(zhàn)

  4.5萬

  2024/09/23

  FPGA xilinx
• 答疑系列：Xilinx ddr3 仿真時，有什么辦法能快速初始化完成？

  今天給大俠帶來在FPAG技術(shù)交流群里平時討論的問題答疑合集（四），以后還會多推出本系列，話不多說，上貨。

  FPGA技術(shù)江湖

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  2024/08/30

  ADC xilinx

  
• DDR3最后的漲聲？

  不久前，有媒體報道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線，兩家韓國存儲制造商可能在今年下半年停止向市場供應(yīng) DDR3 內(nèi)存。隨后市場傳出DDR3產(chǎn)品漲價的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解，AI火熱的當(dāng)下，相關(guān)內(nèi)存供不應(yīng)求。為了利潤率，搶占未來十年的市場，存儲巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  2024/05/23

  閃存 存儲市場

  
• Xilinx Kintex-7系列XC7K410T-FFG900外設(shè)之DDR3硬件設(shè)計

  在數(shù)據(jù)速率帶寬約束方面，DDR3運行速度受限于其與K7-410T FPGA互聯(lián)的I/O Bank 管腳以及FPGA器件的速度等級。如下表所示，當(dāng)FPGA選定時，如需DDR3運行最大工作頻率時，需要將DDR3互聯(lián)至FPGA的HP I/O Bank上，同時也要將Vccaux_io的供電電壓調(diào)整為2.0V。

  FPGA技術(shù)實戰(zhàn)

  5792

  2024/04/13

  硬件設(shè)計 ddr3

  
• DRAM廠陸續(xù)恢復(fù)生產(chǎn)，預(yù)估對第二季總DRAM位元產(chǎn)出影響低于1%

  403震后對DRAM產(chǎn)業(yè)影響的最新調(diào)查，各供貨商所需檢修及報廢晶圓數(shù)量不一，且廠房設(shè)備本身抗震能力均能達(dá)到一定的抗震效果，因此整體沖擊較小。美光、南亞科、力積電、華邦電等，均大致恢復(fù)100%的產(chǎn)線運作，其中僅有美光已經(jīng)轉(zhuǎn)進至先進制程，多為1alpha與1beta nm，預(yù)估將影響整體DRAM產(chǎn)出位元占比；其余DRAM廠仍停留在38、25nm，產(chǎn)出占比相對小。整體而言，預(yù)期本次地震對第二季DRAM產(chǎn)

  與非網(wǎng)編輯

  1552

  2024/04/10

  dram HBM

  
• “落后”的內(nèi)存要大幅漲價，中國廠商迎來商機

  當(dāng)下，AI服務(wù)器系統(tǒng)和應(yīng)用最為火爆，其對DDR5和HBM的需求量大增，因此，在全球內(nèi)存市場，DDR5和HBM成為大宗存儲器市場的寵兒。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  3441

  2024/03/18

  存儲器 內(nèi)存

  
• Xilinx 7系列FPGA DDR3硬件設(shè)計規(guī)則

  本文我們介紹Xilinx 7系列FPGA DDR3硬件設(shè)計規(guī)則及約束，包括Bank選擇、管腳位置約束、管腳分配、端接、I/O標(biāo)準(zhǔn)和走線長度。

  FPGA技術(shù)實戰(zhàn)

  1.2萬

  2024/02/20

  硬件設(shè)計 ddr3
• 高云半導(dǎo)體發(fā)布全新22nm高性能FPGA家族——晨熙5代（Arora V)

  廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司隆重發(fā)布其最新工藝節(jié)點的晨熙家族第5代(Arora V)高性能FPGA產(chǎn)品。

  與非網(wǎng)編輯

  929

  2022/09/26

  FPGA ddr3
• DDR3的謝幕

  當(dāng)三星發(fā)出通知將在兩年內(nèi)停產(chǎn)DDR3，最后接單時間截止到2022年末時，DDR3似乎就宣告終局；而三星之后，SK海力士也開始計劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存。全世界第一大、第二大內(nèi)存廠商相繼停產(chǎn)，DDR3正準(zhǔn)備謝幕。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  3516

  2022/09/05

  ddr3 DDR4
• Xilinx FPGA DDR3設(shè)計（二）時鐘介紹

  本文介紹Xilinx FPGA外接DDR3時鐘相關(guān)參數(shù)及配置。

  FPGA技術(shù)實戰(zhàn)

  1365

  2022/05/02

  FPGA xilinx
• Xilinx FPGA DDR3設(shè)計（一）DDR3基礎(chǔ)掃盲

  本文我們介紹下DDR3的基礎(chǔ)知識，涉及DDR3管腳信號、容量計算、重要參數(shù)介紹內(nèi)容。

  FPGA技術(shù)實戰(zhàn)

  958

  2022/04/28

  FPGA xilinx
• DDR3供給加速下滑，預(yù)估第二季價格將上漲0~5%

  據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年在PC或服務(wù)器領(lǐng)域，英特爾（Intel）與超威（AMD）都有支持DDR5世代的全新CPU將上市，因此以韓廠為首的存儲器供貨商也逐步將重心轉(zhuǎn)移至DDR5，同時減少舊世代DDR3的供給。

  與非網(wǎng)編輯

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  2022/03/08

  英特爾 CPU
• 2021年第一季整體DRAM均價能否止跌反漲？ | TrendForce集邦咨詢

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處表示，包含PC DRAM（占總供給位元數(shù)13%）、Server DRAM（34%）、Mobile DRAM（40%）、Graphics DRAM（5%）以及Consumer DRAM（8%）在內(nèi)的DRAM領(lǐng)域，因整體屬寡占市場型態(tài)，供需動能較NAND Flash明顯健康許多。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  2020/12/10

  dram ddr3
• 芯片世界觀︱DRAM市占率大戰(zhàn)，2017年成DDR4首次反超DDR3的關(guān)鍵節(jié)點？

  IC Insights預(yù)計DDR4將成為2017年DRAM市場的主導(dǎo)產(chǎn)品，市場份額將攀升至58%，而DDR3的市場份額將下滑至39%。

  與非網(wǎng)記者

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  2017/04/17

  與非觀察 存儲器
• ddr3和ddr4的區(qū)別

  規(guī)格不同，DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻率可達(dá)2133MHz，而DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz，最高頻率可達(dá)3000MHz；外觀不同，DDR4內(nèi)存的金手指變成了彎曲狀；內(nèi)存容量不同，DDR3最大單條可達(dá)64GB的容量，DDR4最大單條容量為128GB。

  短腿老頭

  2113

  2021/09/03

  ddr3 DDR4
• ddr3和ddr4性能差別

  規(guī)格不同：DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高頻率可達(dá)2133MHz，DDR4內(nèi)存的起始頻率就有2133MHz，最高頻率可達(dá)3000MHz；外觀不同：DDR4內(nèi)存的金手指變成了彎曲狀；內(nèi)存容量不同：DDR3最大單條可達(dá)64GB的容量，而DDR4最大單條容量為128GB。

  醒醒

  5289

  2021/05/06

  ddr3 DDR4
• ddr3和ddr3l的區(qū)別

  工作電壓不同：DDR3電壓為1.5V，DDR3L電壓為1.35V；兼容性不一樣：DDR3與DDR3L在大多數(shù)情況下兼容，但在Haswell平臺下卻不完全兼容Intel Haswl處理器，Intel Haswl為了更好的降低功耗，其支持的內(nèi)存類型只有DDR3L，并不能兼容DDR3。

  醒醒

  695

  2021/04/19

  ddr3 DDR3L
• ddr2和ddr3的區(qū)別

  ddr2和ddr3的區(qū)別：針腳不同：DDR2是184針，DDR3是240針；電壓不同：DDR2的電壓高些，就是耗電些；頻率不同：DDR3頻率高，延遲長；價格不同：DDR3的更便宜。

  eefocus_3706328

  2483

  2021/04/06

  內(nèi)存條 ddr3

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