• RF功率市場擺脫低潮，GaN技術接班LDMOS

  市研機構Yole于7月發(fā)布「2017年RF功率市場與科技報告」指出，RF功率市場近期可望由衰轉盛，并以將近二位數(shù)的年復合成長率（GAGR）迅速成長；同時，氮化鎵（GaN）將逐漸取代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS），成為市場主流技術。

  與非網(wǎng)記者

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  2017/07/27

  GaN LDMOS

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