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  • 為什么光刻區(qū)又叫黃光區(qū)?有什么含義?
    走進半導體工廠的無塵間光刻區(qū),泛黃的燈光總會給人留下深刻印象。這抹看似普通的黃色光芒,實則是半導體制造中集光化學原理、材料特性與人體工程學于一體的精密設計。那些在新建實驗室中為節(jié)省成本而隨意安裝黃燈管的做法,恰恰忽視了這一照明選擇背后的多重技術約束。
    為什么光刻區(qū)又叫黃光區(qū)?有什么含義?
  • 晶圓的平邊和應用
    晶圓的平邊分為缺口和平邊,根據(jù)尺寸不同而不同。對于大尺寸的晶圓,一般是柱面磨削出一道凹槽作為定位槽(Notch),對于小尺寸的一般磨削出平邊作為定位邊(Flat)。
    晶圓的平邊和應用
  • T-SAM與C-SAM如何“看穿”封裝缺陷的?
    學員問:超聲波有T-SAM與C-SAM,這兩種模式有什么區(qū)別?SAM,Scanning acoustic microscope,超聲波掃描顯微鏡。SAM 是一種非破壞性檢測技術,在無需對樣品開蓋的前提下,就能“透視”封裝內(nèi)部結構。避免了傳統(tǒng)破壞性方法可能引入的新?lián)p傷。
    T-SAM與C-SAM如何“看穿”封裝缺陷的?
  • 一文詳解PCIe熱插拔原理
    PCIe熱插拔(Hot Plug)是指允許在系統(tǒng)運行時不關閉電源即可安全插入或拔出PCIe設備,其廣泛應用于服務器和數(shù)據(jù)中心等場景。PCIe熱插拔是提升系統(tǒng)RAS能力的重要手段。
    一文詳解PCIe熱插拔原理
  • 晶圓盒為什么僅裝載 25 片晶圓?
    為何一盒晶圓通常是 25 片?廠商解釋稱:通過對工藝參數(shù)開展大量實驗研究發(fā)現(xiàn),當 FOUP(晶圓傳送盒)容納 25 片晶圓時,工作效率能達到最高值。因此,半導體行業(yè)標準 SEMI E1.9——《用于運輸和存儲 300 毫米晶圓的盒的機械規(guī)范》也對此作出了相應規(guī)定。
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    05/19 10:10
    晶圓盒為什么僅裝載 25 片晶圓?
  • 電子設備振動環(huán)境試驗(13)?—— 振動試驗的邊界和界面
    前文介紹了電子設備振動環(huán)境試驗概念,以及幾種主要試驗類型、試驗條件的修正、試驗過程中一些注意事項和試驗方法等。本文將對振動試驗的邊界和界面等問題開展相關探討。
    電子設備振動環(huán)境試驗(13)?—— 振動試驗的邊界和界面
  • X-Ray,XRD,XRF,XPS有什么區(qū)別?
    學員問:晶圓廠中,X射線可以應用在X-Ray,XRD,XRF,XPS,這四種設備各有什么作用和區(qū)別嗎?X-Ray、XRD、XRF、XPS雖然它們都用 X 光源,但原理、檢測對象和應用目的截然不同。
    X-Ray,XRD,XRF,XPS有什么區(qū)別?
  • LVS和DRC檢查有什么區(qū)別?芯片設計為什么需要這兩道 “關卡”?
    在芯片設計的世界里,LVS(Layout vs Schematic,版圖與原理圖一致性檢查)和 DRC(Design Rule Check,設計規(guī)則檢查)是確保芯片功能正確和可制造性的兩大核心驗證步驟。這兩者如同建筑工程中的 “圖紙核對” 與 “施工規(guī)范檢查”,雖目標不同,但共同守護著芯片從設計到量產(chǎn)的生命線。本文將用通俗易懂的語言,結合實際案例,帶您深入理解它們的區(qū)別與協(xié)作。
    LVS和DRC檢查有什么區(qū)別?芯片設計為什么需要這兩道 “關卡”?
  • 什么是FIB(Focused Ion Beam)? 從FIB原理、用途、優(yōu)勢和挑戰(zhàn)介紹
    在微觀世界的精密加工領域,聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)技術宛如一位神奇的 “納米雕刻師”,憑借獨特的技術手段,為材料加工、分析和成像開辟了全新的路徑。這項技術通過對離子束的精妙操控,實現(xiàn)納米級別的精準操作,在多個領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。
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    05/16 11:21
    什么是FIB(Focused Ion Beam)? 從FIB原理、用途、優(yōu)勢和挑戰(zhàn)介紹
  • 芯片失效分析中 Hot Spot 技術的深度解析與前沿探索
    在半導體技術持續(xù)向納米級乃至埃米級邁進的今天,芯片集成度不斷攀升,內(nèi)部結構愈發(fā)復雜。在芯片的全生命周期中,失效問題難以避免,而 Hot Spot 技術已成為產(chǎn)品工程師破解芯片失效謎團的關鍵利器。該技術聚焦于芯片內(nèi)部因各種缺陷引發(fā)的過熱或異常電流密度區(qū)域,精準定位潛在故障點,為后續(xù)深入分析奠定堅實基礎。
    芯片失效分析中 Hot Spot 技術的深度解析與前沿探索
  • 晶圓廠為什么常用IPA而不用酒精?
    學員問:在12吋/8吋 fab中,是嚴禁使用乙醇酒精做主清洗劑的,為什么?IPA在晶圓廠中的應用?IPA是異丙醇,主要用于晶圓清洗,刻蝕,設備裝機,PM等。幾乎出現(xiàn)在晶圓廠各個區(qū)域中。
    晶圓廠為什么常用IPA而不用酒精?
  • 晶圓切割成單個Chip有哪些方式,一次講明白!
    在半導體產(chǎn)業(yè)精密復雜的制造體系中,晶圓切割作為不可或缺的關鍵環(huán)節(jié),承擔著將大尺寸單晶硅圓片轉化為適配芯片生產(chǎn)的小型晶圓片的重要使命。作為半導體制造流程的末端工序,其不僅要實現(xiàn)精準的尺寸分割,更需確保切割后的晶圓表面具備極高的平整度與光潔度標準,從而為后續(xù)芯片制造奠定堅實基礎。晶圓切割
    晶圓切割成單個Chip有哪些方式,一次講明白!
  • 先進封裝技術解讀 | 三星
    集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設計、芯片制造、封裝測試三大領域。其中,芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行業(yè),目前在高端芯片的制造上也只剩下臺積電(TSMC)、三星(SAMSUNG)和英特爾(Intel)三家了。
    先進封裝技術解讀 | 三星
  • 優(yōu)化eFuse跳變曲線以提高性能
    作者:Bart De Cock,安森美技術營銷 隨著車輛電子設備日益復雜,為系統(tǒng)中的所有元件提供正確且充分的保護對于安全性和可靠性至關重要。整車廠商逐漸摒棄傳統(tǒng)的刀片式保險絲,轉而青睞電子保險絲 (eFuse) 帶來的優(yōu)勢。 本文將介紹如何以類似于傳統(tǒng)保險絲的方式操作電子保險絲,并對未來通過編程使電子保險絲模擬傳統(tǒng)保險絲的前景進行展望。 這些可編程器件旨在保護電源線免受過電流、過壓和短路情況的損害
    優(yōu)化eFuse跳變曲線以提高性能
  • 半導體芯片中,什么是Seal ring?有什么作用?
    在集成電路制造領域,Seal ring 雖不直接參與電路信號處理,卻是芯片物理防護體系的核心構件。這個看似簡單的環(huán)形結構,從版圖設計到工藝實現(xiàn)都承載著多重使命,是保障芯片可靠性的關鍵屏障。本文將從定義、結構、作用及缺失風險四個維度,全面解析這一芯片 "守護者" 的技術內(nèi)涵。
    半導體芯片中,什么是Seal ring?有什么作用?
  • 先進封裝的種類細分圖
    學員問:先進封裝是如何分類的呢?如上圖,是封裝的種類細分圖,我們一個一個術語來介紹。
  • 芯片在流片前,什么是IP merge?如何理解?
    在芯片行業(yè)里,IP 其實就是 IP 核,它就像是芯片里一個個功能齊全的 “小零件”。這些 “小零件” 是已經(jīng)設計成熟的電路模塊,比如負責計算的、處理數(shù)據(jù)的。它們可以被用在其他芯片設計里,就像搭樂高積木,現(xiàn)成的積木塊能直接拼到新作品里,這樣就能減少很多設計工作,縮短設計時間,還能提高芯片設計成功的概率。因為
    芯片在流片前,什么是IP merge?如何理解?
  • 深度解析 eFuse 與 Anti-Fuse:芯片世界的 “保險絲衛(wèi)士”---五千字的全方位介紹
    在芯片的微觀世界里,有兩位默默守護著電路安全與數(shù)據(jù)穩(wěn)定的 “衛(wèi)士”——eFuse 和 Anti-Fuse。它們雖然名字中都帶有 “fuse”(保險絲),但在功能、特性、應用等方面既有聯(lián)系又存在諸多差異。接下來,讓我們一同深入探究它們的奧秘。
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    05/09 13:54
    深度解析 eFuse 與 Anti-Fuse:芯片世界的 “保險絲衛(wèi)士”---五千字的全方位介紹
  • 干法刻蝕技術深度解析:原理、特性與應用
    干法刻蝕是半導體制造等精密加工領域的核心技術,其原理是將硅片表面暴露于氣態(tài)等離子體中,等離子體通過光刻膠窗口,與硅片發(fā)生物理、化學或二者兼有的反應,從而去除暴露的表面材料。這種技術以其獨特的優(yōu)勢在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)重要地位。
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    05/09 11:50
    干法刻蝕技術深度解析:原理、特性與應用
  • 什么是晶邊刻蝕(Bevel Etch)工藝?
    在介紹Bevel Etch工藝前,先簡單介紹薄膜工藝:化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,CVD)是通過氣體混合的化學反 應在硅片表面沉積一層固體膜的工藝。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被加熱起來向反 應系統(tǒng)提供附加能量。當化合物在反應腔中混合并進行反應時,就會發(fā)生化學氣相沉積過程。原子或分子會沉積在硅片表面成膜,下圖展示了化學氣相成膜過程。

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