異質結雙極型晶體管是一種半導體器件，最早由惠勒（Herbert Kroemer）于1957年提出并得到發(fā)展。異質結雙極型晶體管與同質結雙極型晶體管的區(qū)別在于它使用了兩種不同材料的半導體結構，形成了pn結外還形成了pnp或npn結構，其中異質結部分被稱為限制層，極大地增強了場效應晶體管的性能。

1.異質結雙極型晶體管簡介

異質結雙極型晶體管是一種雙極型晶體管，包含三個區(qū)域：P型、N型和異質結區(qū)。其中異質結區(qū)域的厚度遠小于其余兩個區(qū)域， 通常是幾十奈米至一百多奈米。由于用于異質結雙極型晶體管的材料具有不同的禁閉能帶和電子親和力，因此產(chǎn)生了名稱中的“異質結”。

2.異質結雙極型晶體管的特征

異質結雙極型晶體管相對于同質結雙極型晶體管的主要特征在于：

• 與其他多種雙極晶體管類型相比，具有更高的開關速度。
• 具有低噪聲系數(shù)、高增益和高截止頻率。
• 可以在小信號放大器和射頻放大器等應用中起到優(yōu)異的性能。

3.異質結雙極型晶體管的優(yōu)點

使用異質結雙極型晶體管具有以下幾個優(yōu)點：

• 具有較高的電流放大倍數(shù)。不需要檢流電阻就可以獲得大電流放大倍數(shù)。
• 具有快速開關特性，適用于高頻率應用，如微波功率放大器。
• 與其他類型半導體器件（如場效應晶體管和MOSFET）相比，其制造成本較低，可批量生產(chǎn)。

4.異質結雙極型晶體管的制作方法

異質結雙極型晶體管的制造方法大致可以分為以下步驟：

1. 清潔硅基片以去除表面雜質。
2. 通過化學氣相沉積法在硅基片上生長薄的摻雜層，并形成與之結合的異質結。
3. 通過光刻和濕法腐蝕等技術將摻雜物剝離，形成不同導電性的區(qū)域。
4. 沉積金屬電極和保護層，然后進行熱處理和退火等步驟來激活摻雜物并形成電極。