漂移電流（Drift Current）是半導(dǎo)體中的一種電流，它是由于晶格散射引起的載流子（電子或空穴）的移動(dòng)而產(chǎn)生的。在多數(shù)情況下，漂移電流比擴(kuò)散電流小得多，但仍然對(duì)半導(dǎo)體器件的性能有非常重要的影響。

1.什么是漂移電流

漂移電流是指電子或空穴在外加電場(chǎng)作用下，因受到晶格散射所形成的電流。在半導(dǎo)體中，載流子的移動(dòng)不僅受到外加電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)，還受到雜質(zhì)、晶格等的影響，從而形成了漂移電流。

2.漂移電流的大小與什么有關(guān)

漂移電流的大小取決于半導(dǎo)體中載流子遷移率以及外加電場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。在強(qiáng)電場(chǎng)下，電子或空穴容易被加速，因此會(huì)增加漂移電流的強(qiáng)度。但當(dāng)電子或空穴運(yùn)動(dòng)速度過快時(shí)，晶格的振動(dòng)會(huì)劇烈增大，并引起更多的散射，這將導(dǎo)致漂移電流的減弱。此外，摻雜濃度也是影響漂移電流大小的重要因素之一。

3.漂移電流在什么作用下形成

漂移電流主要在PN結(jié)和MOS場(chǎng)效應(yīng)管等器件中產(chǎn)生。在PN結(jié)中，由于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的載流子濃度不同，形成了內(nèi)建電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)著電子或空穴漂移。在MOS場(chǎng)效應(yīng)管中，通過調(diào)節(jié)柵極電壓可以改變溝道區(qū)電荷密度的分布，從而控制漂移電流的大小。