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ARCHIVED - A2I25D012NR1, A2I25D012GNR1 2300-2690 MHz, 2.2 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - A2I25D012NR1, A2I25D012GNR1 2300-2690 MHz, 2.2 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers - Data Sheet

ARCHIVED - The A2I25D012N wideband integrated power amplifier is optimized to function with a single multi-band circuit usable from 2300 to 2690 MHz.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

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