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MMZ09312BT1 400-1000 MHz, 31.7 dB, 29.6 dBm InGaP HBT Linear Amplifier Data Sheet

2023/04/25
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MMZ09312BT1 400-1000 MHz, 31.7 dB, 29.6 dBm InGaP HBT Linear Amplifier Data Sheet

The MMZ09312B is a 2-stage high efficiency, Class AB InGaP HBT amplifier designed for use as a linear driver amplifier in wireless base station applications as well as an output stage in femtocell

恩智浦

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現智慧生活,安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案,實現智慧生活,安全連結。收起

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