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ARCHIVED - MMRF1018NR1, MMR1018NBR1 470-860 MHz, 90 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - MMRF1018NR1, MMR1018NBR1 470-860 MHz, 90 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

The MMRF1018NR1 and MMRF1018NBR1 are 90 W RF power LDMOS transistors and are designed for wideband RF power amplifiers covering the frequency range of 470 to 860 MHz.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

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