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MWE6IC9100NR1 960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

2023/04/25 作者：恩智浦

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MWE6IC9100NR1 960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

The MWE6IC9100N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 869 to 960 MHz.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

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