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MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

2023/04/25
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MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 1.8 and 600 MHz. These devices are suitable for use in high VSWR industrial, broadcast and aerospace applications.

恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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