国产久操视频-国产久草视频-国产久热精品-国产久热香蕉在线观看-青青青青娱乐-青青青青在线成人视99

ARCHIVED - MRF8S26120HR3, MRF8S26120HSR3 2620-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

376

加入交流群

掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

ARCHIVED - MRF8S26120HR3, MRF8S26120HSR3 2620-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2620 to 2690 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

原創(chuàng)聲明：本文為恩智浦原創(chuàng)內容，未經(jīng)書面授權，不得以任何方式加以使用。轉載合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

相關推薦

方案定制

去合作

方案開發(fā)定制化，2000+方案商即時響應！

相關資料

恩智浦

TA的熱門作品