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MRF7S18125BHR3, MRF7S18125BHSR3 1930-1990 MHz, 125 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25
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MRF7S18125BHR3, MRF7S18125BHSR3 1930-1990 MHz, 125 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications, with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulations.

恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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