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MRF6S9130HR3, MRF6S9130HSR3 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6S9130HR3, MRF6S9130HSR3 880 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。收起

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