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MHPA21010N 2110-2170 MHz, 10 W, 23.7 dB RF High Power LDMOS Amplifier - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MHPA21010N 2110-2170 MHz, 10 W, 23.7 dB RF High Power LDMOS Amplifier - Archived

Designed for Class AB amplifier applications in 50 ohm systems operating in the UMTS frequency band. A silicon FET design provides outstanding linearity and gain.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

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