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MRF1513T1, 520 MHz, 3 W, 12.5 V, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF1513T1, 520 MHz, 3 W, 12.5 V, Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET - Archived

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

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