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MRF9002R2 1000 MHz, 2 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF9002R2 1000 MHz, 2 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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