射頻MOSFET系列 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET 專為2110至2170 MHz的W-CDMA基站應(yīng)用而設(shè)計(jì)。適用于TDMA、CDMA和多載波放大器應(yīng)用。可用于PCN-PCS/蜂窩電臺(tái)和WLL應(yīng)用的AB類工作。

• 對(duì)于VDD = 28伏特，IDQ = 1300毫安，f1 = 2135 MHz，f2 = 2145 MHz，信道帶寬= 3.84 MHz的典型雙載波W-CDMA性能，在f1 -5 MHz和f2 +5 MHz處通過(guò)3.84 MHz BW測(cè)量相鄰信道，通過(guò)f1 -10 MHz和f2 +10 MHz的3.84 MHz BW測(cè)量失真產(chǎn)品，峰值/平均值= 8.5 dB @ 0.01% CCDF概率。輸出功率：33瓦平均值。 功率增益：12.5 dB 效率：25％ IM3：-37 dBc ACPR：-39 dBc
• 內(nèi)部匹配，控制Q，易于使用
• 高增益、高效率和高線性度
• 集成ESD保護(hù)
• 設(shè)計(jì)用于最大增益和插入相位平坦度
• 能夠處理10：1的駐波比，@ 28 VDC，2140 MHz，125瓦連續(xù)波輸出功率
• 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性
• 使用系列等效大信號(hào)阻抗參數(shù)進(jìn)行特性化
• 最高可達(dá)32 VDD工作
• 帶有膠帶和卷軸。 R3后綴=每個(gè)56毫米、13英寸卷軸250個(gè)單位。