• 【干貨分享】MOSFET器件的高壓CV測試詳解

  MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。 圖1. 功率MOSFET的組件級(jí)電容 三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級(jí)上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設(shè)備終

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  2024/06/06

  MOSFET 功率半導(dǎo)體器件

  
• 英飛凌攜手盛弘電氣拓展儲(chǔ)能市場， 共同推進(jìn)綠色能源發(fā)展

  近日，英飛凌宣布與全球領(lǐng)先的能源互聯(lián)網(wǎng)核心電力設(shè)備及解決方案領(lǐng)軍企業(yè)盛弘電氣股份有限公司達(dá)成合作。英飛凌將為盛弘提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半導(dǎo)體器件，配合EiceDRIVER? 緊湊型1200V單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC， 從而進(jìn)一步提升儲(chǔ)能變流器的效率。 在“雙碳”戰(zhàn)略和新能源浪潮帶動(dòng)下，近年來，國內(nèi)儲(chǔ)能市場保持持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)工信部統(tǒng)計(jì)，2023年上半年，新型儲(chǔ)能

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  2024/01/26

  SiC 英飛凌

  
• Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

  新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，利用該公司的一項(xiàng)專利技術(shù)，在氮化鎵功率晶體管上實(shí)現(xiàn)了長達(dá)5微秒的短路耐受時(shí)間（SCWT）。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達(dá)到的成就，也是整個(gè)行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機(jī)、工業(yè)電機(jī)和汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅(jiān)固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來五年的潛在市場規(guī)模(TAM)超過 30 億美元。

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  2017

  2023/08/24

  GaN 氮化鎵
• 英飛凌300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體高科技工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營

  英飛凌科技股份公司今日宣布，其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營。

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  2021/09/17

  芯片 電動(dòng)汽車
• 萬萬沒想到打敗汽車的不是汽油，而是芯片

  相比手機(jī)、電腦芯片新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)有時(shí)比春晚還熱鬧的景象，汽車芯片領(lǐng)域一直不太受普通大眾關(guān)注。直到2020年開始，汽車芯片出現(xiàn)了嚴(yán)重短缺，甚至出現(xiàn)了供應(yīng)商囤積居奇的魔幻場景。

  BOO聊通信

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  2021/08/11

  MCU 汽車芯片
• 東微半導(dǎo)體：高端功率半導(dǎo)體器件國產(chǎn)替代“拓荒者”

  蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司闖關(guān)科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，本次擬募資9.39億元。東微半導(dǎo)體是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域。

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  2021/07/05

  功率半導(dǎo)體 國產(chǎn)替代
• 吉林華微電子： 自主研發(fā)砥礪行 助力打造“中國芯”

  櫛風(fēng)沐雨五十余載，篳路藍(lán)縷砥礪前行。從初創(chuàng)時(shí)期的“一窮二白”到今天總資產(chǎn)近57.52億元、員工2100余人，吉林華微電子股份有限公司（以下簡稱華微電子）歷經(jīng)行業(yè)起伏，創(chuàng)造了輝煌的企業(yè)成就。

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  2021/07/05

  芯片封裝 功率半導(dǎo)體器件
• 張波：功率芯片，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的突破口

  張波教授從應(yīng)用、市場、機(jī)遇和挑戰(zhàn)等多個(gè)維度對(duì)功率芯片進(jìn)行了深入剖析，并指出功率芯片是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的突破口。

  趙元闖

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  2020/07/20

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 功率半導(dǎo)體器件
• IGBT為什么這么難？

  IGBT 是一個(gè)難啃的骨頭，這是一個(gè)公認(rèn)的事實(shí)。

  步日欣

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  2020/07/16

  IGBT 功率半導(dǎo)體器件
• 拙見 | 短路振蕩如何改善

  今天我們就來聊聊IGBT短路測試中經(jīng)常出現(xiàn)，但可能不太被重點(diǎn)分析的一種現(xiàn)象——短路振蕩。

  Disciple

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  2020/07/06

  IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
• 連續(xù)22個(gè)漲停下的中國IGBT

  關(guān)于 IGBT 的科普文章，請(qǐng)參考“科創(chuàng)之道”之前發(fā)布的科普文《電磁爐里的高科技》。

  步日欣

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  2020/03/25

  CPU IGBT
• 一文帶你看完ISPSD怎么推進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展？

  第31屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)將于2019年5月19-23日在上海寶華萬豪酒店舉辦，這是ISPSD會(huì)議舉辦30多年以來第一次在中國內(nèi)地召開。

  趙元闖

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  2019/04/10

  功率半導(dǎo)體 IC
• 如何避免MOSFET常見問題和失效模式

  Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），簡稱MOSFET，是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域中的開關(guān)、放大、調(diào)節(jié)等電路中。然而，MOSFET也存在一些常見問題和失效模式，需要合理設(shè)計(jì)和使用來避免。

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  03/05 15:30

  MOSFET 功率半導(dǎo)體器件
• igct和igbt有什么區(qū)別

  在當(dāng)今的電力電子領(lǐng)域中，IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用場景中起著重要的作用。

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  9100

  2024/02/05

  IGBT 功率半導(dǎo)體器件
• 電力電子器件有哪些 電力電子器件系統(tǒng)組成

  電力電子器件是指用于控制電能的半導(dǎo)體器件，其種類繁多。常見的電力電子器件包括：

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  2235

  2022/12/26

  功率半導(dǎo)體器件 電力電子器件

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