• 【干貨分享】MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解

  MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿(mǎn)足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。 圖1. 功率MOSFET的組件級(jí)電容 三端功率半導(dǎo)體器件的電容可以在兩種不同的量級(jí)上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個(gè)設(shè)備終

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  2024/06/06

  MOSFET 功率半導(dǎo)體器件

  
• 如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式

  Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET，是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域中的開(kāi)關(guān)、放大、調(diào)節(jié)等電路中。然而，MOSFET也存在一些常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式，需要合理設(shè)計(jì)和使用來(lái)避免。

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  03/05 15:30

  MOSFET 功率半導(dǎo)體器件

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