• 印度開發(fā)出首個(gè)完全自主研發(fā)的硅基氮化鎵（GaN）微波功率晶體管

  據(jù) thehindubusinessline 網(wǎng) 5 月 4 日?qǐng)?bào)道，印度科學(xué)研究院（IISc）納米科學(xué)與工程中心（CeNSE）的研究人員成功開發(fā)出印度首個(gè)完全自主研發(fā)的硅基氮化鎵（GaN）微波功率晶體管。

  射頻學(xué)堂

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  05/12 14:10

  氮化鎵 功率晶體管

  

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