• 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破

  在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項技術(shù)突破，以助力推動半導(dǎo)體行業(yè)在下一個十年及更長遠(yuǎn)的發(fā)展。 英特爾通過改進(jìn)封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達(dá)100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開發(fā)未來制程節(jié)點時可預(yù)見的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進(jìn)的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)

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  2024/12/25

  英特爾 晶體管

  
• 什么是FinFET？一文帶你全方位認(rèn)識FinFET

  今天我們一起來學(xué)習(xí)一下：什么是FinFET？它到底有多牛？它為什么這么牛？

  射頻學(xué)堂

  7萬

  2024/09/26

  MOSFET FinFET
• 耗盡型場效應(yīng)管

  耗盡型場效應(yīng)管（Depletion-Mode MOSFET）是一種重要的半導(dǎo)體器件，與增強型場效應(yīng)管相反，耗盡型場效應(yīng)管在零柵極電壓下處于導(dǎo)通狀態(tài)，需要施加負(fù)向柵極電壓來實現(xiàn)截止。本文將深入探討耗盡型場效應(yīng)管的工作原理、特點、優(yōu)勢、應(yīng)用。

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  場效應(yīng)管
• MOS管擊穿

  MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常見的場效應(yīng)管，廣泛用于電子器件和集成電路中。然而，在特定情況下，MOS管可能會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這會導(dǎo)致器件損壞和系統(tǒng)故障。本文將深入探討MOS管的擊穿現(xiàn)象，包括其定義、原因、類型、影響、防范方法以及相關(guān)工程應(yīng)用。

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  05/02 13:13

  MOS管 場效應(yīng)管
• 增強型場效應(yīng)管

  增強型場效應(yīng)管（Enhancement-Mode MOSFET）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中以實現(xiàn)功率放大、信號調(diào)節(jié)和開關(guān)控制等功能。相比于功率晶體管，增強型場效應(yīng)管具有更低的驅(qū)動電壓、更小的輸入電流，以及更快的開關(guān)速度和更好的頻率響應(yīng)。本文將深入介紹增強型場效應(yīng)管的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、優(yōu)勢、應(yīng)用范圍。

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  05/02 09:32

  場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管
• JFET和MOSFET之間的區(qū)別是什么

  JFET（結(jié)型場效應(yīng)管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是常見的場效應(yīng)晶體管類型，在電子學(xué)領(lǐng)域中扮演著重要的角色。盡管它們在某些方面有相似之處，但在結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在明顯的差異。

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  2024/09/23

  MOSFET 場效應(yīng)管
• pmos管工作原理及詳解

  PMOS管是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的一種類型，屬于場效應(yīng)管。PMOS管在集成電路中具有重要作用，常用于數(shù)字電路和模擬電路中，廣泛應(yīng)用于邏輯門、存儲器單元等電路中。

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  1.4萬

  2024/08/11

  場效應(yīng)管 PMOS管

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