• 干法刻蝕技術(shù)深度解析：原理、特性與應(yīng)用

  干法刻蝕是半導(dǎo)體制造等精密加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其原理是將硅片表面暴露于氣態(tài)等離子體中，等離子體通過光刻膠窗口，與硅片發(fā)生物理、化學(xué)或二者兼有的反應(yīng)，從而去除暴露的表面材料。這種技術(shù)以其獨特的優(yōu)勢在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)重要地位。

  國芯制造

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  05/09 11:50

  干法刻蝕

  
• 干法刻蝕后為什么要清洗？

  學(xué)員問：用于銅互聯(lián)的大馬士革工藝，在刻蝕介質(zhì)后為什么要用清洗液清洗，主要是洗去什么物質(zhì)？雙大馬士革工藝的步驟？

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  02/11 08:50

  干法刻蝕 PCBA清洗機
• 干法刻蝕使用脈沖電源的好處？

  學(xué)員問：相對于連續(xù)波的電源模式，脈沖模式的優(yōu)勢有哪些？什么是脈沖與連續(xù)波電源模式？

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  01/20 14:43

  脈沖電源 干法刻蝕

  
• 干法刻蝕工藝參數(shù)匯總

  學(xué)員問：干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？1，溫度：晶圓表面溫度，溫度梯度。晶圓表面溫度：控制刻蝕表面的化學(xué)反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性。溫度梯度：晶圓表面不同區(qū)域的溫度由于加熱器分布不均可能會有差異，導(dǎo)致局部區(qū)域刻蝕速率不同，從而影響刻蝕均勻性。

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  2024/12/02

  干法刻蝕

  
• 干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

  知識星球里的學(xué)員問：刻蝕時經(jīng)常會出現(xiàn)側(cè)壁彎曲的現(xiàn)象，想問下是什么原因？什么是側(cè)壁彎曲？如上圖，是典型的干法刻蝕時，側(cè)壁彎曲的樣子，側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的，角度接近 90°。

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  2024/12/02

  干法刻蝕

  
• 晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響？

  學(xué)員問：溫度能影響干法刻蝕的哪些方面？麻煩講一講表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。

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  2024/11/28

  晶圓制造 干法刻蝕
• SiO2薄膜的刻蝕機理

  學(xué)員問：干法刻蝕SiO2的化學(xué)方程式怎么寫？刻蝕的過程是怎么樣的？干法刻氧化硅的化學(xué)方程式？以F系氣體刻蝕為例，反應(yīng)的方程式為：?SiO2(s)+ CxFy +Ar(+)>SiF4 (g)+ CO(g)CxFy是來自刻蝕氣體（如CF?、CHF?）解離產(chǎn)生的氟自由基，用于氧化硅的化學(xué)刻蝕。

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  2024/11/27

  刻蝕工藝 干法刻蝕

  
• 5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——中微公司

  晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠高于其他種類的設(shè)備。 圖|20

  王兵

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  2024/11/12

  與非研究院 CVD

  
• 一個好的干法刻蝕結(jié)果是什么樣的？

  學(xué)員問：干法刻蝕后的刻蝕效果怎么來評價？要考慮哪些方面？1，對不需要刻蝕的材料具有高選擇比不需要刻蝕的材料一般是硬掩模，光刻膠或下層材料。選擇比是指刻蝕目標材料相對于保護層或下層材料的速率比。選擇比越高，掩模和下層材料損耗的越少。

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  2024/08/04

  干法刻蝕
• 干法刻蝕工藝中DC自偏壓的作用？

  學(xué)員問：DC自偏壓是如何產(chǎn)生的？有什么作用？如何測量？

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  2024/07/24

  刻蝕工藝 干法刻蝕
• 干法刻蝕

  干法刻蝕是一種常見的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子器件、傳感器等領(lǐng)域。通過使用化學(xué)氣相刻蝕劑，將材料表面進行精確刻蝕，實現(xiàn)微小結(jié)構(gòu)的制備。

  eefocus_3901714

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  2024/11/13

  干法刻蝕
• 一文介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、評價參數(shù)及應(yīng)用

  干法刻蝕是一種常見的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、集成電路生產(chǎn)、MEMS（微機電系統(tǒng)）制造等領(lǐng)域。本文將介紹干法刻蝕的原理、工藝流程、重要評價參數(shù)以及在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。

  eefocus_3901714

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  04/02 12:36

  刻蝕工藝 干法刻蝕
• RIE干法刻蝕的原理、工藝流程、評價參數(shù)及應(yīng)用

  RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。RIE（Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術(shù)，通過等離子體中的活性物質(zhì)對材料表面進行選擇性刻蝕，以達到精確移除材料的目的。

  老虎說芯

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  01/15 18:00

  刻蝕工藝 干法刻蝕
• 干法刻蝕的負載效應(yīng)是怎么產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制

  在電子半導(dǎo)體工業(yè)中，干法刻蝕是一種常見的加工技術(shù)。然而，干法刻蝕過程中可能出現(xiàn)的負載效應(yīng)是需要認真對待的問題。本文將介紹負載效應(yīng)產(chǎn)生的原因、可能引發(fā)的危害以及如何有效抑制這一現(xiàn)象。

  eefocus_3901714

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  2024/11/06

  刻蝕工藝 干法刻蝕

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