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干法刻蝕

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干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以等離子體形式存在時,它具備兩個特點:一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態(tài)下時要強很多,根據被刻蝕材料的不同,選擇合適的氣體,就可以更快地與材料進行反應,實現刻蝕去除的目的;另一方面,還可以利用電場對等離子體進行引導和加速,使其具備一定能量,當其轟擊被刻蝕物的表面時,會將被刻蝕物材料的原子擊出,從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此,干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。

干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以等離子體形式存在時,它具備兩個特點:一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態(tài)下時要強很多,根據被刻蝕材料的不同,選擇合適的氣體,就可以更快地與材料進行反應,實現刻蝕去除的目的;另一方面,還可以利用電場對等離子體進行引導和加速,使其具備一定能量,當其轟擊被刻蝕物的表面時,會將被刻蝕物材料的原子擊出,從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此,干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。收起

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