• 測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實(shí)際影響

  在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅 —— 測量探頭的 “溫漂” 問題。這一看似細(xì)微的現(xiàn)象，實(shí)則對氮化鎵襯底厚度測量產(chǎn)生著諸多深遠(yuǎn)且實(shí)際的影響，關(guān)乎整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝的成敗。一、“溫漂” 現(xiàn)象的內(nèi)在成因測量探頭的 “溫漂”，本質(zhì)上源于溫度

  萬智光學(xué)

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  01/20 09:30

  碳化硅 晶圓

  

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