• 國內(nèi)第一！廣東半導(dǎo)體獨角獸沖刺IPO，華為比亞迪都投了

  12月24日報道，昨日，廣東第三代半導(dǎo)體企業(yè)天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請獲受理。華為哈勃科技、比亞迪、上汽集團(tuán)均是其股東。外延片是生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的關(guān)鍵原材料，從最初的硅發(fā)展到以碳化硅及氮化鎵為代表的新一代材料。碳化硅外延片通?？捎糜谛履茉葱袠I(yè)、軌道交通、智能電網(wǎng)、通用航空等領(lǐng)域。

  芯東西

  2049

  2024/12/25

  外延片 碳化硅外延片

  
• 速度快10倍！這項SiC技術(shù)提供降本新思路

  在第1-3期內(nèi)容中，“行家說三代半“介紹了日本電裝（Denso）的SiC長晶核心技術(shù)（鏈接），今天這期內(nèi)容我們給大家剖一下他們和昭和電工（Resonac）的超快速SiC外延生長技術(shù)。

  行家說三代半

  1815

  2024/10/18

  SiC技術(shù) 碳化硅外延片

  
• 超結(jié)SiC新技術(shù)出爐，規(guī)模化量產(chǎn)又進(jìn)一步

  近日，華威大學(xué)工程學(xué)院的一項突破性的研究提供了一種新的溝槽外延方法，該研究團(tuán)隊在1550°C的較低生長溫度下，使用過飽和氯化化學(xué)方法重新填充4H-SiC的外延溝槽。這種方法帶來了2大好處：

  行家說三代半

  1606

  2024/07/02

  SiC 碳化硅外延片

  

正在努力加載...