• 2個晶圓廠新進度：正式投片；車規(guī)SiC MOS亮相

  近日，國內(nèi)2家碳化硅IDM廠商實現(xiàn)了晶圓廠和車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他們于當日順利完成晶圓廠首批投片，標志著昕感晶圓廠正式進入全面營運階段。

  行家說三代半

  1842

  2024/09/24

  晶圓廠 SiC-MOSFET

  
• 58.97億元！芯聯(lián)集成并購碳化硅相關(guān)業(yè)務(wù)子公司

  今年6月20日晚間，芯聯(lián)集成曾發(fā)布公告稱，其擬收購控股子公司芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡稱：芯聯(lián)越州）剩余72.33%股權(quán)。歷時2個多月后，芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的并購案迎來了最新進展。9月4日晚間，芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱，其收購芯聯(lián)越州剩余72.33%股權(quán)的重組草案通過了董事會決議。

  化合物半導體市場

  1519

  2024/09/06

  碳化硅 碳化硅MOSFET

  
• 國家隊加持，芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

  據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。

  全球半導體觀察

  1824

  2024/09/03

  芯片制造 第三代半導體

  
• 國產(chǎn)SiC實現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

  近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)模化生產(chǎn)。●?國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

  行家說三代半

  2499

  2024/09/03

  SiC 碳化硅MOSFET

  

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