• MOSFET的米勒電容Cgd很重要，1400字教你兩種方式準確計算出電路中的米勒電容值

  在之前的文章中，我們介紹了兩種方式計算出米勒平臺電壓值，也說明了MOSFET的米勒效應對于MOSFET的電路設計以及器件選型有很重要的影響，米勒效應使得MOSFET柵極電壓的變化變得較慢從而會影響MOSFET的開關速度，其次米勒效應導致的柵極電流的增加和電容充電過程會增加開關損耗，同時柵極電壓的變化可能導致MOSFET的不穩(wěn)定工作，特別是在高頻或快速開關時，這可能導致振蕩、過沖、甚至導致MOSFET損壞。

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  01/14 08:35

  MOSFET 米勒效應

  
• MOSFET的米勒平臺電壓很重要，1400字教你兩種方式計算出米勒平臺電壓值

  MOSFET米勒效應是指在MOSFET的開關過程中，由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在，漏極電壓的變化會通過該電容耦合到柵極，導致柵極電壓出現(xiàn)不希望的變化。在MOSFET開關的過程中，特別是當漏極電壓發(fā)生快速變化時，柵極電壓需要經(jīng)歷一個過渡階段，這一階段通常表現(xiàn)為柵極電壓變化的“平臺”部分，稱為米勒平臺電壓。

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  01/06 15:47

  MOSFET 電壓

  
• 如何理解mosfet的米勒平臺效應

  金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（簡稱MOSFET）是一種重要的半導體器件，在電子學領域有著廣泛的應用。其中，米勒平臺效應是影響MOSFET性能的重要因素之一。

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  01/07 15:44

  MOSFET 米勒效應

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