• 一文了解原子層沉積(ALD)薄膜制備技術(shù)

  CVD?技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程，較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性，使?CVD?技術(shù)被越來(lái)越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)阻擋層的制備。

  半導(dǎo)體全解

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  05/07 11:40

  ALD 薄膜技術(shù)

  
• ALD（原子層沉積）與ALE（原子層刻蝕）的區(qū)別解析

  ALD（Atomic Layer Deposition）：原子層沉積是一種逐層生長(zhǎng)薄膜的工藝。每個(gè)循環(huán)通過(guò)“自限性反應(yīng)”，將化學(xué)前體逐層吸附并反應(yīng)，沉積一個(gè)原子層的材料。目標(biāo)：構(gòu)建具有高均勻性、無(wú)缺陷、埃級(jí)厚度精度的薄膜。

  老虎說(shuō)芯

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  01/17 08:40

  ALD

  
• 原子層沉積（ALD, Atomic Layer Deposition）詳解

  ALD 是一種精確的薄膜沉積技術(shù)，其核心原理是利用化學(xué)反應(yīng)的“自限性”，以原子或分子層為單位逐層生長(zhǎng)薄膜。具體過(guò)程包括：前體吸附：將化學(xué)前體（Precursor）引入反應(yīng)室，前體分子在襯底表面發(fā)生吸附，形成單分子層。

  老虎說(shuō)芯

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  01/15 08:45

  ALD ALD技術(shù)

  
• ALD,ALE與傳統(tǒng)技術(shù)相比的優(yōu)勢(shì)？

  學(xué)員問(wèn)：ALD（原子層沉積），ALE（原子層刻蝕）與傳統(tǒng)的沉積，刻蝕技術(shù)相比，有什么優(yōu)勢(shì)？如上圖，先說(shuō)第一行，第一行是傳統(tǒng)鍍膜與ALD效果的對(duì)比，傳統(tǒng)薄膜沉積方法如 PECVD 或 PVD等，在高深寬比結(jié)構(gòu)中，由于氣體進(jìn)出受到了物理限制，側(cè)壁和底部區(qū)域的沉積速率不同。

  TOM聊芯片智造

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  2024/12/20

  ALD ALD技術(shù)
• 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納

  王兵

  9352

  2024/12/10

  與非研究院 CVD

  
• 越制裁，越強(qiáng)大！重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——北方華創(chuàng)

  美日荷相繼加大對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。盡管中國(guó)是全球最大半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)，但本土化缺口明顯，2023 年芯片自產(chǎn)率僅 20%、半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率為 35%、高端刻蝕機(jī)等關(guān)鍵領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化率不足 10%。隨著國(guó)產(chǎn)晶圓廠的逆勢(shì)擴(kuò)張、海外制裁趨緊，本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望擴(kuò)大份額，預(yù)計(jì)2025年國(guó)產(chǎn)化率將達(dá)50%。 前面文章我們分析了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一的中微公司，今天我們繼續(xù)深入研究半導(dǎo)體

  王兵

  1.4萬(wàn)

  2024/11/26

  與非研究院 NAND

  
• 5nm已量產(chǎn)，3nm還會(huì)遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司

  晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20

  王兵

  8845

  2024/11/12

  與非研究院 CVD

  
• 一項(xiàng)多尺度模擬技術(shù)，打通ALD的材料—過(guò)程—裝備？

  今天我們對(duì)話的這位專家是來(lái)自華東理工大學(xué)化工學(xué)院的莊黎偉教授，他在原子層沉積工藝中進(jìn)行了非常多的探索，今天我們就請(qǐng)莊教授和我們一起來(lái)聊聊他所從事的事情，請(qǐng)莊教授和大家打個(gè)招呼。

  芯片揭秘

  3468

  2024/04/01

  ALD ALD技術(shù)

  
• 線寬越來(lái)越小，ALD未來(lái)或成唯一選擇？

  在半導(dǎo)體制程進(jìn)入28nm后，由于器件結(jié)構(gòu)不斷縮小且更為3D立體化，生產(chǎn)過(guò)程中需要實(shí)現(xiàn)厚度更薄的膜層，以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，ALD技術(shù)憑借優(yōu)異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點(diǎn)，技術(shù)優(yōu)勢(shì)愈加明顯，在半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)的市場(chǎng)占有率也將持續(xù)提高。

  芯片揭秘

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  2023/11/15

  ALD 半導(dǎo)體制程

  
• 真空技術(shù)賦能微觀材料科技，推動(dòng)諸多領(lǐng)域發(fā)展未來(lái)可期

  隨著新材料的應(yīng)用和科技的進(jìn)步，我們的生活也正在發(fā)生翻天覆地的變化，從居家辦公到日常出行，隨著技術(shù)的不斷突破和創(chuàng)新，也給我們的生活質(zhì)量帶來(lái)了很大的提升。燃油車被越來(lái)越多的電動(dòng)汽車所取代，推動(dòng)著交通出行以更加可持續(xù)的方式發(fā)展；隨處可見(jiàn)的顯示器，也一次次突破極限，展示更清晰、精準(zhǔn)和高質(zhì)量的畫(huà)面。還有很多新材料的應(yīng)用也正在從實(shí)驗(yàn)室級(jí)別的研發(fā)走向產(chǎn)業(yè)化和規(guī)?；牡缆?。這些技術(shù)的應(yīng)用都離不開(kāi)真空技術(shù)。 現(xiàn)如今

  與非網(wǎng)編輯

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  2023/05/10

  電動(dòng)汽車 普發(fā)真空

  
• 立足產(chǎn)業(yè)發(fā)展新階段，思銳智能以先進(jìn)ALD技術(shù)拓展超摩爾時(shí)代新維度

  中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)集成電路分會(huì)理事長(zhǎng)葉甜春在致辭中強(qiáng)調(diào)，中國(guó)集成電路發(fā)展到現(xiàn)在，確實(shí)需要進(jìn)入新的階段。

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  2022/10/31

  集成電路 ALD
• Atonarp Aston Impact 計(jì)量平臺(tái)開(kāi)始向韓國(guó)半導(dǎo)體 FAB 批量出貨

  Atonarp，半導(dǎo)體工藝控制原位實(shí)時(shí)高靈敏度計(jì)量領(lǐng)域的領(lǐng)頭企業(yè)，在全球范圍內(nèi)正式發(fā)布并銷售其 Aston 平臺(tái)。這是 Atonarp 公司全球發(fā)展進(jìn)程中的一座重要里程碑。

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  2022/04/06

  半導(dǎo)體制造 半導(dǎo)體工藝
• SRII重磅推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求

  過(guò)去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造，不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。

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  2022/01/26

  半導(dǎo)體制造 FinFET
• 加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展

  SEMulator3D中可視刻蝕特征提供了一種模擬與現(xiàn)實(shí)刻蝕腔室接近的刻蝕速率的方法。

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  2021/11/15

  刻蝕工藝 ALD
• GaN快充市場(chǎng)賽道提速，SRII交付半導(dǎo)體晶圓設(shè)備助力中國(guó)產(chǎn)能擴(kuò)充

  隨著蘋(píng)果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機(jī)、筆記本電腦為代表的消費(fèi)電子快充市場(chǎng)迎來(lái)了又一標(biāo)桿性產(chǎn)品的重要拐點(diǎn)。近兩年來(lái)，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬(wàn)只。然而，這僅僅只是開(kāi)端。

  與非網(wǎng)編輯

  124

  2021/11/01

  快充 GaN
• 思銳智能攜旗下Beneq品牌亮相CIOE2021，探索從微觀到宏觀層面的ALD光學(xué)應(yīng)用創(chuàng)新

  光學(xué)薄膜的應(yīng)用十分廣泛，從精密的光學(xué)儀器到光纖通訊、顯示器、數(shù)碼相機(jī)，乃至鈔票上的防偽技術(shù)，均不乏其身影。

  與非網(wǎng)編輯

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  2021/10/11

  顯示器 ALD
• 從夜視到“元宇宙”入口設(shè)備，ALD光學(xué)鍍膜不斷突破技術(shù)和市場(chǎng)邊界

  隨著各類鏡頭、顯示設(shè)備、生物識(shí)別技術(shù)產(chǎn)品、5G通訊技術(shù)和終端設(shè)備，以及最近備受關(guān)注的未來(lái)“元宇宙”重要場(chǎng)景入口設(shè)備的AR/VR等消費(fèi)類終端的創(chuàng)新發(fā)展，對(duì)光學(xué)鍍膜設(shè)備的技術(shù)工藝以及性價(jià)比要求也越來(lái)越高。

  與非網(wǎng)編輯

  184

  2021/09/26

  顯示器 ALD
• 半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)入藍(lán)海，ASM如何把握？

  作為全球前十大晶圓制造設(shè)備，ASM同樣保持著高速增長(zhǎng)。ASM中國(guó)區(qū)總經(jīng)理徐來(lái)表示：“2020年，ASM總營(yíng)收相較于2019年增長(zhǎng)了18%，主要的增長(zhǎng)領(lǐng)域是原子層沉淀（ALD），占據(jù)了設(shè)備收入的一半以上?！?/div>

  與非網(wǎng)記者

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  2021/03/24

  半導(dǎo)體 半導(dǎo)體設(shè)備
• 全球top10半導(dǎo)體設(shè)備廠的進(jìn)擊之路

  過(guò)去一年，整個(gè)全球設(shè)備市場(chǎng)表現(xiàn)萎縮，2019年?duì)I收同比下降了6-8個(gè)百分點(diǎn)。然而，ASM在逆境中增長(zhǎng)37%，踏入全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商之列。

  李晨光

  265

  2020/07/10

  半導(dǎo)體設(shè)備 ALD
• 五大能力領(lǐng)跑ALD領(lǐng)域，ASM深度推進(jìn)中國(guó)本土化戰(zhàn)略

  “目前中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展非常強(qiáng)勁，ASM擁有服務(wù)中國(guó)市場(chǎng)20年的經(jīng)驗(yàn)，這使我們能更好地支持中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速增長(zhǎng)。我們?cè)概c中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起成長(zhǎng)。” 先晶半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司業(yè)務(wù)總監(jiān)徐來(lái)在SEMICON China重申ASM對(duì)中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體制造的支持。

  趙碧瑩

  40

  2018/03/26

  半導(dǎo)體設(shè)備 ALD

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