• PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！

  近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計(jì)及制造工藝取得了非常巨大的進(jìn)步，越來(lái)越多的先進(jìn)技術(shù)運(yùn)用到集成電路制造工藝中，促進(jìn)了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進(jìn)入先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，器件可靠性問(wèn)題日趨嚴(yán)重，對(duì)器件的進(jìn)一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴(yán)重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時(shí)比較棘手的問(wèn)題之一。

  國(guó)芯制造

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  04/28 12:05

  PMOS

  

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