• SiC SBD的振蕩 Oscillation of SiC SBD

  讓我們開始今天的話題，寬禁帶半導(dǎo)體(這里主要就SiC展開)中普遍易于硅基的振蕩。

  Disciple

  821

  01/21 11:23

  寬禁帶半導(dǎo)體 SiC SBD
• 采用自主設(shè)計封裝，絕緣電阻顯著提高！

  與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進(jìn)行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備

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  1020

  2024/11/12

  ROHM 肖特基二極管

  

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