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  • PXIe技術(shù)解析 定義 系統(tǒng)組成 信號及應(yīng)用
    PXIe作為一種高性能、模塊化的測試和測量平臺,結(jié)合了PCI Express的高速數(shù)據(jù)傳輸能力和PXI平臺的堅(jiān)固性和模塊化特性。通過了解總線的基礎(chǔ)知識,特別是串行總線和并行總線的差異,我們可以更好地理解PXIe系統(tǒng)的組成、信號和應(yīng)用。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,PXIe將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,推動工業(yè)自動化和測試測量技術(shù)的不斷進(jìn)步。
  • 5G基站選擇±10ppm晶振及低相噪技術(shù)解析
    在5G通信技術(shù)飛速發(fā)展的時代,5G基站作為核心基礎(chǔ)設(shè)施,其性能的優(yōu)劣直接影響著整個通信網(wǎng)絡(luò)的質(zhì)量。晶振作為5G基站中的關(guān)鍵器件,對基站的頻率穩(wěn)定性、信號傳輸質(zhì)量等起著至關(guān)重要的作用。 5G基站對晶振的要求 (一)高精度頻率穩(wěn)定度 5G通信采用了更高的頻段和更復(fù)雜的調(diào)制技術(shù),如毫米波頻段和正交頻分復(fù)用(OFDM)技術(shù)。這些技術(shù)對頻率的精度和穩(wěn)定度提出了極高的要求。頻率的偏差會導(dǎo)致信號的相位噪聲增大、
  • 晶振老化率控制 如何將年漂移量降低至±1ppm以內(nèi)
    晶振作為電子設(shè)備中的關(guān)鍵頻率元件,其性能穩(wěn)定性對設(shè)備的整體運(yùn)行至關(guān)重要。老化率是衡量晶振長期頻率穩(wěn)定性的重要指標(biāo),年漂移量則是老化率的具體體現(xiàn)。在許多高精度電子系統(tǒng)中,如通信設(shè)備、導(dǎo)航系統(tǒng)等,要求晶振的年漂移量控制在±1ppm以內(nèi)。 晶振老化機(jī)理分析 晶振的老化主要是由于晶體元件本身的物理化學(xué)變化以及外部環(huán)境因素的影響導(dǎo)致的頻率漂移。晶體元件在長期工作過程中,會發(fā)生表面電極的氧化、晶體表面的污染、
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