5月21日，據(jù)美國主流媒體《華爾街日報》報道，全球最大的SiC襯底制造商之一碳化硅功率器件巨頭Wolfspeed正準(zhǔn)備在未來數(shù)周內(nèi)申請破產(chǎn)！消息出來以后，該公司股價在盤后交易中下跌逾57%，Wolfspeed 的市值從百億美元縮水至個位數(shù)。

據(jù)路透社的消息，Wolfspeed 一直在努力應(yīng)對工業(yè)和汽車市場需求低迷以及關(guān)稅引發(fā)的不確定性。報道稱，在拒絕了債權(quán)人提出的幾項庭外債務(wù)重組提議后，該公司正尋求申請第 11 章破產(chǎn)保護(hù)，這將獲得大多數(shù)債權(quán)人的支持。

當(dāng)路透社聯(lián)系Wolfspeed 時，他們拒絕發(fā)表評論。

該公司使用碳化硅制造芯片，本月早些時候提出了持續(xù)經(jīng)營的疑慮，并預(yù)測年收入將低于預(yù)期。該公司預(yù)計 2026 年營收為 8.5 億美元，低于分析師預(yù)期的 9.587 億美元。

去年11月面疲軟的電動汽車需求和緩慢的工業(yè)市場，Wolfspeed宣布裁員20%，并關(guān)閉多個站點。到了2025年初，Wolfspeed關(guān)閉了幾家工廠，并將一些業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到200mm碳化硅晶圓廠，以提高效率并擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

據(jù)悉，破產(chǎn)主要原因是Wolfspeed目前面臨巨大的債務(wù)壓力，其總債務(wù)高達(dá)65億美元（約合人民幣470億元）。公司未能就債券重組達(dá)成協(xié)議，導(dǎo)致其財務(wù)狀況進(jìn)一步惡化。

盡管Wolfspeed深陷債務(wù)危機(jī)，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革命卻未停步。作為第三代半導(dǎo)體核心材料，SiC器件在新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域的滲透率持續(xù)攀升，據(jù)Yole預(yù)測全球市場規(guī)模將在2027年突破60億美元。近期行業(yè)動態(tài)更凸顯出冰火兩重天的格局。

安森美

安森美公布 2025 年第一季度業(yè)績。財報顯示，安森美第一季度收入為 14.457億美元（約合人民幣104億），GAAP毛利率為 20.3%，自由現(xiàn)金流為4.55億美元（約合人民幣33億），同比增長72%，占收入的31%。安森美在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，其總裁Hassane El-Khoury透露，盡管一季度汽車行業(yè)處于庫存調(diào)整期，公司仍通過與一家美國頭部車企合作斬獲750V插混車型碳化硅器件訂單，并憑借技術(shù)優(yōu)勢在中國800V高壓電動車市場加速滲透——中國最新發(fā)布的電動車型中近半數(shù)將搭載其碳化硅器件，預(yù)計2025年末迎來量產(chǎn)高峰。隨著第四代溝槽架構(gòu)EliteSiC MOSFET技術(shù)突破及PHEV市場長期增長預(yù)期，安森美正通過產(chǎn)品迭代與產(chǎn)能布局鞏固碳化硅領(lǐng)域領(lǐng)先地位。

英飛凌

5月8日，英飛凌公布了2025財年第二季度的財報（截至2025年3月31日）。該季度營收為35.91億歐元（約合人民幣290億），利潤為6.01億歐元（約合人民幣48.4億），利潤率為16.7%。英飛凌在財報電話會議中透露，碳化硅（SiC）市場價格正因襯底成本下降及8英寸晶圓遠(yuǎn)期定價策略呈現(xiàn)動態(tài)波動，但公司憑借技術(shù)優(yōu)勢保持競爭力——其碳化硅MOSFET在面積效率與性能系數(shù)上領(lǐng)先競品一至兩代，并推出全球首款結(jié)合溝槽與超結(jié)技術(shù)的SiC產(chǎn)品，強(qiáng)化高壓場景應(yīng)用潛力。盡管市場波動或?qū)е?025財年碳化硅業(yè)務(wù)收入增速放緩，英飛凌仍通過結(jié)構(gòu)性創(chuàng)新鞏固行業(yè)話語權(quán)。

近期，英飛凌相繼與偉世通、Rivian達(dá)成SiC合作，將在車規(guī)級應(yīng)用上搭載SiC技術(shù)。

天岳先進(jìn)

4月29日，天岳先進(jìn)發(fā)布2025年一季度報告，實現(xiàn)季度營收4.1億元，凈利潤為852萬元，研發(fā)投入合計為4494萬元，同比增加5.79%。

天岳先進(jìn)在2024年度暨2025年第一季度業(yè)績說明會上透露，2025年碳化硅市場需求將呈現(xiàn)“多點共振”的強(qiáng)勁態(tài)勢，主要體現(xiàn)在新能源汽車中碳化硅的滲透率和器件用量持續(xù)提升，光伏儲能與電力電網(wǎng)領(lǐng)域成為新的增長點，以及AI數(shù)據(jù)中心與AR眼鏡領(lǐng)域的巨大潛力。

此外，天岳先進(jìn)認(rèn)為碳化硅產(chǎn)業(yè)不會重蹈光伏“內(nèi)卷”的覆轍，因為其襯底制備需要極端高溫、高壓設(shè)備和精密工藝，全球范圍內(nèi)能穩(wěn)定量產(chǎn)8英寸襯底的企業(yè)寥寥無幾。天岳先進(jìn)已具備大尺寸襯底量產(chǎn)能力，其8英寸襯底已實現(xiàn)規(guī)模出貨，12英寸產(chǎn)品也已發(fā)布并銷售，這將強(qiáng)化其技術(shù)壁壘并加深與下游技術(shù)的綁定。

山東力冠微電子

山東力冠微電子裝備有限公司繼8英寸液相法SiC長晶爐量產(chǎn)后，正加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長晶設(shè)備，推出12英寸液相法SiC長晶爐。

設(shè)備支持12英寸SiC單晶生長，通過多溫區(qū)協(xié)同控制技術(shù)，實現(xiàn)生長界面溫度梯度高精度控制，破解晶型混雜和晶體開裂難題。采用特殊坩堝設(shè)計與惰性氣體保護(hù)系統(tǒng)，避免雜質(zhì)污染，降低雜質(zhì)殘留。其自主研發(fā)的全閉環(huán)控制生長系統(tǒng)，可實時監(jiān)控生長速率與重量等相關(guān)問題。

晶盛機(jī)電

5月13日，晶盛機(jī)電在官微宣布，他們的子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長技術(shù)突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達(dá)到309mm，質(zhì)量完好。

浙江晶瑞基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐以及持續(xù)迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經(jīng)過多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長溫場設(shè)計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。

南砂晶圓

南砂晶圓展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底等重點產(chǎn)品。

公司總部設(shè)在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長和村底制備等完整的生產(chǎn)線，公司產(chǎn)品以6、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產(chǎn)品線。

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)深化碳化硅功率器件合作

4月2日，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊與山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院雙方達(dá)成深化合作協(xié)議

雙方重點交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進(jìn)展。魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學(xué)專家則從學(xué)術(shù)角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認(rèn)為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向，而魯晶半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗與山東大學(xué)的科研實力為合作提供了強(qiáng)有力支撐。

綜上，產(chǎn)業(yè)與個別企業(yè)生存危機(jī)并存的現(xiàn)狀，恰恰印證了SiC賽道已進(jìn)入深度洗牌期。當(dāng)技術(shù)迭代速度超越資本耐受度，Wolfspeed的困境或許正是行業(yè)向理性發(fā)展轉(zhuǎn)型的必經(jīng)陣痛。