• HBM3E時(shí)代到來(lái)，三星電子依然焦慮

  進(jìn)入8月，有傳聞稱，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子（以下簡(jiǎn)稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（高帶寬內(nèi)存新一代產(chǎn)品）已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。對(duì)此，三星回應(yīng)：與事實(shí)相距甚遠(yuǎn)。其相關(guān)人員表示：“我們不能證實(shí)與我們客戶相關(guān)的傳聞，但這個(gè)報(bào)道不是真的。正如我們上個(gè)月電話會(huì)議上所說(shuō)的，質(zhì)量測(cè)試還在進(jìn)行中，在那之后還沒(méi)有取得更多進(jìn)展。”這番解釋中，依然能看到HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品是三星打入英偉達(dá)產(chǎn)品鏈的“敲門磚”。

  中國(guó)電子報(bào)

  876

  2024/08/22

  三星電子 HBM3

  
• HBM新戰(zhàn)局，半導(dǎo)體存儲(chǔ)廠商們準(zhǔn)備好了嗎？

  在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域，參與HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的存儲(chǔ)廠商主要為SK海力士、三星和美光，三者的競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)延續(xù)到HBM3e。而近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)JEDEC宣布HBM4即將完成的消息引發(fā)了業(yè)界關(guān)注，這似乎也預(yù)示著HBM領(lǐng)域新的戰(zhàn)場(chǎng)已經(jīng)開啟...

  全球半導(dǎo)體觀察

  1702

  2024/07/16

  HBM 存儲(chǔ)廠商

  
• SK海力士官宣：HBM3E良率已達(dá)80%！

  SK海力士宣布，其第五代高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E的良率已達(dá)到80%。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了業(yè)界預(yù)期的60~70%。良品率是正常產(chǎn)品減去不良品的比率，“80%的良品率”意味著生產(chǎn)的100個(gè)產(chǎn)品中有80個(gè)是正常的。

  芯片說(shuō) IC TIME

  2053

  2024/05/23

  SK海力士 HBM3

  
• 這一次，三星被臺(tái)積電卡脖子了

  在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺(tái)積電是純粹的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺(tái)積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1848

  2024/05/21

  臺(tái)積電 三星電子

  
• 三星成立HBM3E特別工作組，搶500億大單

  三星電子為了向英偉達(dá)提供新一代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM），投入了400多名半導(dǎo)體ACE（最高水平的）員工?！叭请娮訛榇蛲ㄌ囟蛻艄就度脒@么多人力，實(shí)屬史無(wú)前例?！庇蟹治稣J(rèn)為，只有抓住“英偉達(dá)”才能掌握市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)，所以三星動(dòng)員了公司的全部力量。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1140

  2024/05/13

  HBM HBM3

  
• HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

  HBM即高帶寬內(nèi)存，是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片。如果說(shuō)傳統(tǒng)的DDR就是采用的"平房設(shè)計(jì)"方式，那么HBM則是采用"樓房設(shè)計(jì)"方式。目前，HBM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  4208

  2024/04/01

  HBM HBM3

  
• 價(jià)格暴漲500%，HBM市場(chǎng)徹底被引爆

  內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對(duì)于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。在這個(gè)背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動(dòng)計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)入全新時(shí)代的關(guān)鍵力量。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1966

  2024/02/23

  HBM 內(nèi)存

  
• Rambus推9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP，直擊AI訓(xùn)練內(nèi)存墻痛點(diǎn)

  oe Salvador認(rèn)為：“確實(shí)，當(dāng)前市場(chǎng)上幾家主流的內(nèi)存廠商都宣稱有HBM3e內(nèi)存，但從規(guī)格的角度上來(lái)講，目前所說(shuō)的HBM3e還不是正式的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，它是在HBM3基礎(chǔ)上的拓展，比較HBM3E和HBM3，可以發(fā)現(xiàn)其實(shí)堆棧的厚度沒(méi)有變化，支持的DRAM容量也沒(méi)有變化，變化的知識(shí)總帶寬?！?/div>

  夏珍

  2603

  2023/12/18

  與非觀察 Rambus

  
• 各原廠預(yù)期2024年第一季于NVIDIA完成HBM3e產(chǎn)品驗(yàn)證；而HBM4預(yù)計(jì)2026年推出

  為了更妥善且健全的供應(yīng)鏈管理，NVIDIA也規(guī)劃加入更多的HBM供應(yīng)商，其中三星（Samsung）的HBM3（24GB）預(yù)期于今年12月在NVIDIA完成驗(yàn)證。而HBM3e進(jìn)度依據(jù)時(shí)間軸排列如下表所示，美光（Micron）已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士（SK hynix）已于今年8月中提供8hi（24GB）樣品、三星則于今年10月初提供8hi（24GB）樣品。

  與非網(wǎng)編輯

  1575

  2023/11/27

  AI芯片 NVIDIA

  
• 英偉達(dá)H200帶寬狂飆！HBM3e/HBM3時(shí)代即將來(lái)臨

  當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日，英偉達(dá)（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX? H200，旨為世界領(lǐng)先的AI計(jì)算平臺(tái)提供強(qiáng)大動(dòng)力，將于2024年第二季度開始在全球系統(tǒng)制造商和云服務(wù)提供商處提供。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1684

  2023/11/15

  存儲(chǔ)器 HBM3

  
• 受AI加速芯片新品帶動(dòng)，HBM3與HBM3e將成為2024年HBM市場(chǎng)主流

  2023年HBM（High Bandwidth Memory）市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。同時(shí)，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。

  與非網(wǎng)編輯

  1952

  2023/08/01

  NVIDIA HBM

  
• 美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

  業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3，帶寬超過(guò)1.2TB/s，先進(jìn)的1β制程節(jié)點(diǎn)提供卓越能效 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存，其帶寬超過(guò)1.2TB/s，引腳速率超過(guò)9.2Gb/s，比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案性能可提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品

  與非網(wǎng)編輯

  1851

  2023/07/27

  人工智能 臺(tái)積電

  
• 高帶寬內(nèi)存HBM需求猛漲，原因還是……

  ChatGPT已經(jīng)從下游AI應(yīng)用“火”到了上游芯片領(lǐng)域，在將GPU等AI芯片推向高峰之外，也極大帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存)的需求。據(jù)悉，2023年開年以來(lái)三星、SK海力士的HBM訂單就快速增加，價(jià)格也水漲船高。有市場(chǎng)人士透露近期HBM3規(guī)格DRAM價(jià)格上漲了5倍。這也為寒冬中的存儲(chǔ)器市場(chǎng)帶來(lái)了一抹春色。

  中國(guó)電子報(bào)

  999

  2023/02/27

  存儲(chǔ)芯片 HBM
• 深度丨巨頭領(lǐng)跑，HBM3時(shí)代來(lái)臨

  ·聚焦:人工智能、芯片等行業(yè)

  AI芯天下

  1290

  2023/01/12

  存儲(chǔ)器 HBM3
• 數(shù)據(jù)中心即將進(jìn)入HBM3時(shí)代

  SK海力士宣布公司已經(jīng)量產(chǎn)了HBM3 DRAM芯片，并將供貨英偉達(dá)。因此英偉達(dá)的Tensor Core GPU將成為首先配備HBM3 DRAM的GPU。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  299

  2022/07/05

  數(shù)據(jù)中心 HBM3
• SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

  SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。

  美通社

  145

  2021/10/20

  美通社 dram
• Rambus推出支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，速率可達(dá)8.4Gbps，助力AI/ML性能提升

  作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出支持HBM3的內(nèi)存接口子系統(tǒng)，內(nèi)含完全集成的PHY和數(shù)字控制器。

  與非網(wǎng)編輯

  96

  2021/08/25

  數(shù)據(jù)傳輸 Rambus

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