• 三星1c DRAM大擴(kuò)產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)

  據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計(jì)劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級(jí)DRAM）量產(chǎn)線。預(yù)計(jì)該項(xiàng)投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對(duì)提高收益率的信心。

  芯片說(shuō) IC TIME

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  05/23 09:05

  dram 三星電子

  
• DRAM芯片，“甜蜜點(diǎn)”已至

  4月，存儲(chǔ)芯片似乎迎來(lái)行業(yè)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。月初，筆者曾報(bào)道過(guò)閃迪、美光等公司開啟漲價(jià)潮。月尾，來(lái)自市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)給這個(gè)月存儲(chǔ)芯片的價(jià)格走勢(shì)做了總結(jié)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  942

  05/16 09:48

  dram 存儲(chǔ)芯片

  
• [存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價(jià)格?

  DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)情況:DDR4現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)強(qiáng)勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。

  芯科技圈

  873

  05/12 10:00

  dram NAND

  

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