• 三星1c DRAM大擴產(chǎn)，加速HBM4量產(chǎn)

  據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產(chǎn)線。預(yù)計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對提高收益率的信心。

  芯片說 IC TIME

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  05/23 09:05

  dram 三星電子

  
• DRAM芯片，“甜蜜點”已至

  4月，存儲芯片似乎迎來行業(yè)的轉(zhuǎn)折點。月初，筆者曾報道過閃迪、美光等公司開啟漲價潮。月尾，來自市場研究機構(gòu)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)給這個月存儲芯片的價格走勢做了總結(jié)。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  05/16 09:48

  dram 存儲芯片

  
• [存儲現(xiàn)貨行情] DRAM資源供應(yīng)緊張；NAND緊缺推漲價格?

  DRAM現(xiàn)貨市場情況:DDR4現(xiàn)貨市場持續(xù)呈現(xiàn)強勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。

  芯科技圈

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  05/12 10:00

  dram NAND

  
• 國際形勢變化帶動拉貨潮，預(yù)估2Q25存儲器合約價漲幅將擴大

  近期國際形勢變化已實質(zhì)改變存儲器供需方操作策略。TrendForce資深研究副總吳雅婷表示，由于買賣雙方急于完成交易、推動生產(chǎn)出貨，以應(yīng)對未來市場不確定性，預(yù)期第二季存儲器市場的交易動能將隨之增強。 基于對未來國際形勢走向不明的擔憂，采購端普遍秉持“降低不確定因素、建立安全庫存”的策略，積極提高DRAM和NAND Flash的庫存水位。 TrendForce集邦咨詢表示，受到積極備貨潮帶動，第二季

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  712

  04/17 09:09

  存儲器 dram

  
• 存儲芯片，正式漲價

  今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。自此，存儲市場長達多半年的低迷態(tài)勢，終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場表現(xiàn)也各不相同。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  04/02 14:20

  dram 存儲芯片

  
• 研報 | 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計均價為季增3%至8%。

  TrendForce集邦咨詢

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  03/26 09:45

  dram

  
• 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂

  2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計均價為季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季 因應(yīng)國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化

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  371

  03/25 08:47

  dram OEM

  
• 芯片制造為什么需要High-K材料

  DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）是一種常見的內(nèi)存芯片，就像我們家里的儲藏室，用來短暫存放數(shù)據(jù)（“0”或“1”）。DRAM最基本的結(jié)構(gòu)就是由一個晶體管（相當于開關(guān)）和一個電容（相當于儲藏室）組成的“1T1C”單元。

  老虎說芯

  1662

  03/06 11:30

  dram 芯片制造

  
• 長鑫存儲DRAM份額將增至12%

  隨著市場份額穩(wěn)步提升的中國企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。

  芯片說 IC TIME

  2792

  03/05 11:35

  dram 長鑫存儲
• 揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機到AI超算，為何它決定了計算速度的極限？

  當我們驚嘆于手機流暢加載4K視頻，或是AI模型秒級生成圖像時，背后默默支撐的DRAM內(nèi)存技術(shù)正經(jīng)歷一場靜默革命。ISSCC 2025最新教程揭示：內(nèi)存接口（I/O）設(shè)計才是突破算力瓶頸的關(guān)鍵！本文將帶你速覽尖端內(nèi)存技術(shù)的內(nèi)核密碼。

  IC芯博士

  1703

  02/28 15:42

  dram 內(nèi)存接口芯片

  
• Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增9.9%

  2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收突破280億美元，較前一季成長9.9%；由于Server DDR5的合約價上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營收皆持續(xù)季增。平均銷售單價方面，多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品的合約價皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價格續(xù)漲的主因。 展望2025年第一季，隨著進入生產(chǎn)淡季，整體原廠出貨位元量將季減。價格部分

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  667

  02/27 08:22

  dram HBM

  
• DeepSeek會沖擊晶圓需求嗎？

  生成式AI的影響將導致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日，世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因為，中國初創(chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當?shù)拇笠?guī)模語言模型（LLM）DeepSeek-R1（以下簡稱R1）。R1的研發(fā)僅用了兩個月的時間，成本僅為560萬美元，僅為其他公司成本的一小部分。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2800

  02/18 09:45

  dram 晶圓

  
• SK海力士DRAM銷額將首次超越三星

  預(yù)計今年第一季度三星電子的DRAM銷售額將大幅萎縮。由于整體IT需求疲軟，DRAM供給減少，HBM銷售比重的大幅下降，使得DRAM ASP(平均銷售價格)較上一季度出現(xiàn)兩位數(shù)下滑的可能性加大。

  芯片說 IC TIME

  1040

  02/06 10:10

  dram SK海力士

  
• NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

  NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關(guān)計劃，可能長期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。 TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方

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  01/23 08:26

  dram NAND Flash
• 存儲市場迎三大挑戰(zhàn)！

  剛剛過去的2024年，存儲市場上演了一出“冰與火之歌”：終端市場消費電子復(fù)蘇遲緩，AI應(yīng)用則繼續(xù)強勢突圍。存儲產(chǎn)品因而開啟兩極化發(fā)展：消費類存儲需求平淡，高性能、企業(yè)級存儲產(chǎn)品市場反響熱鬧。

  全球半導體觀察

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  01/07 15:07

  dram 消費電子

  
• SK海力士大擴產(chǎn)，HBM DRAM月產(chǎn)能將飆至17萬張

  SK海力士今年將以12英寸晶圓為基礎(chǔ)，將高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能擴大至每月17萬張。此舉被解讀為應(yīng)對除最大客戶英偉達之外的領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的舉措。

  芯片說 IC TIME

  1403

  01/07 09:00

  dram SK海力士

  
• 存儲大廠預(yù)警NAND增長不及預(yù)期，高端DRAM等被押注

  近日，存儲大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴大其DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，近期其也公布了2025財年第一季度（2024年9月至2024年11月）的業(yè)績報告，該季營收較為亮眼，但美光對于下一季度的預(yù)測，體現(xiàn)了其對存儲市場的隱憂，美光表示NAND閃存市場正遭遇前所未有的挑戰(zhàn)；另外三星電子方面也將調(diào)整DRAM未來研發(fā)策略。

  全球半導體觀察

  1938

  01/03 11:32

  dram NAND

  
• 研報 | 買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價走跌

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，

  TrendForce集邦咨詢

  1032

  2024/12/31

  dram

  
• 明年存儲，令人憂心

  存儲價格，時漲時落。在2024年下半年，存儲行業(yè)再度步入下行周期，其價格后續(xù)的發(fā)展態(tài)勢引發(fā)了廣泛關(guān)注。至2025年，存儲價格究竟會走向何方？是延續(xù)下行趨勢，還是觸底反彈？

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  3893

  2024/12/31

  dram NAND

  
• 買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價走跌

  2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔心美國可能拉高進口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預(yù)計下跌0%至5%。 PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10% TrendForce

  與非網(wǎng)編輯

  720

  2024/12/30

  智能手機 dram

  

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