知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學員問：我觀察到晶圓廠中l(wèi)ift off工藝，鍍膜都是用的電子束蒸發(fā)的方式，很少有用磁控濺射的方式，為什么？

電子束蒸發(fā)與磁控濺射的臺階覆蓋性對比

磁控濺射的臺階覆蓋性更好。

電子束蒸發(fā)中，蒸發(fā)物質(zhì)從源頭直接升華并沿直線路徑沉積到晶圓上，它可以避免金屬在掩模側(cè)壁的覆蓋，只在表面進行沉積。而磁控濺射可能會將光刻膠整個膠面與側(cè)壁都包裹在沉積的材料中。在鍍膜結(jié)束后，在進行光刻膠剝離時，去膠液無法與光刻膠接觸反應(yīng)，導致光刻膠剝離很困難。而用電子束蒸發(fā)鍍膜，則沒有這個問題。

上圖為電子束蒸發(fā)的膜層截面圖。去膠液可以透過縫隙與光刻膠側(cè)壁反應(yīng)。

上圖為磁控濺射的膜層截面圖，去膠液很難突破側(cè)壁膜層，進行反應(yīng)。

用磁控濺射方法需要增加哪些工序？

需要增加撕膠工序，將膠面上覆蓋的膜層撕掉，使光刻膠露出，這樣才容易剝離。

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