知識(shí)星球（星球名：芯片制造與封測(cè)技術(shù)社區(qū)，星球號(hào)：63559049）里的學(xué)員問(wèn)：昨天在直播的時(shí)候有你說(shuō)FCVD，我之前是沒(méi)有聽(tīng)過(guò)這類的CVD，可以詳細(xì)介紹一下嗎？

FCVD是什么？

FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動(dòng)化學(xué)氣相沉積。結(jié)合了旋涂電介質(zhì) (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來(lái)制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質(zhì)）。

FCVD的原理

首先，F(xiàn)CVD采用的是遠(yuǎn)程等離子的技術(shù)，關(guān)于遠(yuǎn)程等離子體，見(jiàn)前面的文章：為什么高端刻蝕設(shè)備都選用遠(yuǎn)程等離子體源（RPS）？

沉積過(guò)程分為兩步：第一步是沉積，第二步是固化成氧化硅薄膜。

在沉積過(guò)程中，溫度比較低，被淀積的材料能夠以液態(tài)形式流動(dòng)，填充狹小的空間。這與傳統(tǒng)的SOD工藝類似，但FCVD的材料是通過(guò)CVD工藝沉積的，而SOD則是通過(guò)旋涂的方法。關(guān)于SOD，見(jiàn)之前的文章：

旋涂絕緣介質(zhì)（SOD）是什么?

之后，在惰性氛圍的環(huán)境中，在650℃以下的溫度中進(jìn)行固化，得到固態(tài)的氧化硅薄膜。

FCVD的優(yōu)點(diǎn)

1，極高的填充能力，能夠填充深寬比為30：1的結(jié)構(gòu)2，低溫工藝，對(duì)于溫度敏感的芯片產(chǎn)品十分有利。3，薄膜的致密性很好。4，成本僅為SOD的一半

FCVD的應(yīng)用

3D NAND 閃存芯片

FCVD供應(yīng)商及型號(hào)？

AMAT,型號(hào)：Producer? Eterna? FCVD?

歡迎加入我的半導(dǎo)體制造知識(shí)星球社區(qū)，目前社區(qū)有1900人左右。在這里會(huì)針對(duì)學(xué)員問(wèn)題答疑解惑，上千個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)資料共享，內(nèi)容比文章豐富很多很多，適合快速提升半導(dǎo)體制造能力，介紹如下：? ? ?《歡迎加入作者的芯片知識(shí)社區(qū)！》